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本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內， 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。
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本設備主要用于氧化鎵（Ga2O3）單晶生長（無銥法），將原料放在垂直的坩堝內， 然后從坩堝尖端開始通過預設好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過緩慢降溫而生長出單晶。